Hynix e Samsung mostram seus módulos de memória DDR4

Os primeiros módulos de memória DDR4 só devem chegar ao mercado dentro de alguns anos, mas no evento International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), a Hynix e a Samsung mostraram protótipos de seus futuros módulos DDR4.

A Hynix mostrou módulos de memória DDR4-2400, que contam com chips de memória fabricados com o processo de manufatura de 38nm da Hynix, e que necessitam de apenas 1.2V para seu funcionamento. Já a Samsung mostrou módulos de memória DDR4-2133, com chips sendo fabricados no processo de manufatura de 30nm da Samsung, que funcionam com uma voltagem de 1.2V.

Memórias DDR3-2133 atuais necessitam voltagens de 1.65V para seu funcionamento; a Hynix e a Samsung afirmam que módulos de memória DDR3 fabricados com o mesmo processo de manufatura descrito necessitariam entre 1.3 a 1.5V, pelo que mencionam que os módulos DDR4 não só trarão maiores frequências de funcionamento e maiores capacidades, mas também um menor consumo energético, que é cerca de 40% inferior ao das memórias DDR3.

Os módulos DDR4 iniciarão sua produção massiva em algum momento de 2013, e se espera que os primeiros módulos estarão disponíveis em 2014; e exigirão novos processadores e placas-mãe, pois usarão um novo tipo de slot com um número diferente de pinos que as dos atuais DDR3.