A Hynix Semiconductor Inc. («a Hynix, https://www.hynix.com) anunciou hoje que desenvolveu 2Gb (Gigabit)de Ram DDR4 e 2 GB de RAM DDR4 (Gigabyte)com o SODIMM ECC (Identificar erros e fazer pequena correção da linha dual do módulo de mémoria) e aplicará esta tecnologia com o processo 30nm.
Mémoria RAM DDR4 é um produto da próxima geração que consome menos energia eletrônica, enquanto que as transferências de dados são 2 vezes mais rápido que as atuais DDR3. O aparelho funciona na velocidade mais rápida da indústria com 2400Mbps (Megabits por segundo),e também é 80% mais rápido do que o produto 1333Mbps DDR3. O Módulo opera a uma voltagem baixa de 1,2 V e processos de até 19.2GB (gigabytes) de dados por segundo com 64-bit I / O.
Ji-Bum Kim, Diretor de Marketing da Hynix disse sobre a mémoria.
“Os produtos DDR4 são plenamente compatíveis com vários recursos, incluindo as exigentes energia eco-friendly (eficientes e de alta performance).Com este produto, a Hynix será capaz de fornecer soluções premium aos nossos clientes, não apenas no PC e servidores, mas também no mercado de tablet.”
Hynix planeja começar a produção da DDR4 de alta performance no segundo semestre de 2012.
Traduzido e Resumido por Wagnerikki
