A Samsung anunciou esta manhã que estão trabalhando nos primeiros módulos de
memoria ram DDR4 , e estão programados para a disponibilidade global no início de 2012. DDR4 é ajustado para substituir a DDR3 e trazer com ela a eficiência energética 40% maior, bem como taxas de transferência de 2.1Gbps.
Confira abaixo um resumo do comunicado oficial à imprensa.
“Samsumg anunciou hoje que completou o desenvolvimento do primeiro módulo
de memória ram DDr4, com 30 nanômetros (nm). A mémoria será bastante
econômica, mais inovadora e proporcionará um melhor desempenho.”
O novo módulo de memória ram DDR4 pode atingir taxas de transferência de 2,133 gigabits por segundo (Gbps) em 1.2V, em comparação com 1.35V e 1.5V da DDR3, equivalente, com velocidades de até 1.6Gbps. Quando aplicado a um notebook, ele reduz o consumo de energia em 40% em comparação com um módulo de 1.5V DDR3.
“O módulo faz uso do pseudo Open Drain (POD), uma nova tecnologia que foi adaptada para alta performance gráfica para permitir que a DDR4 consuma apenas a metade da corrente elétrica da DDR3 ao ler e gravar dados.”
Traduzido e resumido por Wagnerikki
