A Samsung Electronics apresentou o primeiro módulo de memória com uma capacidade de 16 GB Double Data Rate-4 (DDR4) projetado para uso em servidores corporativos.
Feita a partir de um processo de fabricação de 30 nm, o módulo DDR4 de alta densidade da Samsung consome aproximadamente 40% menos de energia em relação a um módulo de memória DDR3-1600 MHz@1.35V.
A Samsung seguirá trabalhando na conclusão JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) e a padronização de tecnologias e especificações de produtos DDR4, que deverão ter lugar em Agosto.
A empresa também disse que vai estreitar os laços com seus clientes, incluindo fabricantes OEMs, assim como responsáveis por CPUs e controladores para ampliar a base de mercado para seus módulos de alta densidade DDR4, ao qual planejam uma produção em massa no próximo ano.
Espera-se também uma expansão do mercado de memória global, alcançando produtos de memórias DRAM DDR4 @ 20 nm que estará disponível no próximo ano, em densidades de até 32 GB.
Com este anúncio a Samsung continua a liderar o desenvolvimento da tecnologia DRAM desde o desenvolvimento da primeira DDR DRAM da indústria em 1997. Em 2001 introduziu a primeira memória DRAM DDR2, e em 2005, anunciou as primeiras DDR3 @ 80 nm.
Fonte referência: Techpowerup