Samsung desenvolve primeira DRAM DDR5 com memória de classe 12nm

IMAGEaHR0cHM6Ly9pbWFnZS5zZW1pY29uZHVjdG9yLnNhbXN1bmcuY29tL2ltYWdlL3NhbXN1bmcvcDYvc2VtaWNvbmR1Y3Rvci9uZXdzcm9vbS9uZXdzL3NhbXN1bmctZWxlY3Ryb25pY3MtZGV2ZWxvcHMtaW5kdXN0cnlzLWZpcnN0LTEybm0tY2xhc3MtZGRyNS1kcmFtXzEuanBnPyRPUklHSU5fSlBHJA==

Samsung apresenta o desenvolvimento da primeira DDR5 de 16 gigabytes de classe de 12 nanômetros para o mercado mundial. Esta nova geração de memória DDR5 chega como facilitador para consumidores preocupados com o alto custo e quanto a compatibilidade com a AMD.

Segundo Jooyoung Lee, vice-presidente executivo de produtos e tecnologia DRAM da Samsung Electronics, diz que: "Nossa DRAM de 12 nanômetros será um facilitador fundamental para impulsionar a adoção da DRAM DDR5 em todo o mercado". Ele também, em uma de suas passagens, cita as expectativas do novo desenvolvimento da empresa sul-coreana: "Com desempenho excepcional e eficiência energética, esperamos que nossa nova DRAM sirva de base para operações mais sustentáveis em áreas como a computação da próxima geração, data centers e sistemas orientados por inteligências artificiais"

"A inovação geralmente requer uma estreita colaboração com parceiros do setor para ultrapassar os limites da tecnologia", disse Joe Macri, vice-presidente sênior, membro corporativo e CTO de clientes, computação e gráficos da AMD. "Estamos entusiasmados em mais uma vez colaborar com a Samsung, particularmente na introdução de produtos de memória DDR5 que são otimizados e validados em plataformas 'Zen'."

A Samsung afirma que o avanço tecnológico apenas foi possível por causa da utilização do material "high-k", um material com uma alta constante dielétrica e utilizados em processos de fabricação de semicondutores. Segundo o comunicado oficial: "Combinada com a litografia ultravioleta extrema (EUV) avançada e multicamadas, a nova DRAM apresenta a maior densidade de matrizes do setor, o que permite um ganho de 20% na produtividade do wafer"

Esta nova tecnologia traz consigo o desbloqueio de velocidades de até 7,2 gigabits por segundo, acompanhada também de uma maior eficiência energética, o que traduz para um consumo de até 23% a menos que DRAM anteriores. O desenvolvimento da classe de 12nm, como já citado pelo executivo Jooyoung Lee, é uma importante marca para empresas mundiais que buscam operações menos danosas ao meio ambiente.

Sua produção em massa é prevista para iniciar em 2023 com o planejamento de ampliação e uma linha abrangente de segmentos de mercado.