Samsung anunciou o início da produção de novas memórias de 4GB DRAM com base na (HBM2)interface de segunda geração de memória de alta largura de banda, para uso em computação de alto desempenho (HPC), gráficos avançados e sistemas de rede, bem como servidores corporativos. A nova solução da Samsung HBM vai oferecer desempenho DRAM sem precedentes – mais de sete vezes mais rápido do que o limite atual desempenho DRAM, permitindo que uma capacidade de resposta mais rápida para tarefas de computação high-end, incluindo computação paralela, renderização de gráficos e aprendizagem automática.
O recém-introduzido 4GB HBM2 DRAM, que usa mais eficiente tecnologia de processo de 20 nanômetros da Samsung e design avançado chip de HBM, satisfaz a necessidade de alto desempenho, eficiência energética, confiabilidade e dimensões pequenas tornando-o adequado para sistemas HPC de próxima geração e placas gráficas.
Os pacotes de DRAM HBM2 serão com uma largura de banda de até 256 GBps. Placas de vídeo atuais, que usam memória DRAM GDDR5, têm cerca de apenas 36GBps de largura de banda, uma diferença e tanto.
Além disso, a Samsung planeja produzir um pacote de 8GB HBM2 DRAM ainda neste ano. Especificando 8GB HBM2 DRAM em placas gráficas, os designers poderão desfrutar de uma economia de espaço de mais de 95 por cento em comparação ao uso GDDR5 DRAM, ou seja, placas bem menores e com muito mais potência já nesta próxima(Acredito eu) geração 🙂
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