A Samsung anunciou que iniciou a produção em massa de seu NVMe (Non-Volatile Memory Express – especificação para acessar SSDs através da PCI Express) SSD de 3,2 Terabytes, baseado em sua tecnologia de memória flash 3D V-NAND (Vertical NAND), para uso em servidores de alto desempenho. O novo dispositivo, SM1715, possui o dobro da capacidade da versão anterior.
“Começando com a produção em massa deste novo V-NAND NVMe SSD, que entrega o maior nível de performance e densidade disponíveis atualmente, nós esperamos expandir o mercado de SSDs de alta densidade”, disse Jeeho Baek, Vice-presidente de Marketing de Memórias da Samsung. “A Samsung planeja introduzir continuamente SSDs baseados em V-NAND com ainda maiores desempenho, densidade e confiabilidade no futuro, para manter seus clientes à frente de seus competidores”, completou Jeeho.
O Novo SSD V-NAND possui uma velocidade de leitura sequêncial de 3.000 megabytes por segundo (MB/s) e escrita sequêncial de até 2.000 MB/s. E 750.000 IOPS (input/output operations per second – operações de entrada/saída por segundo) de leitura randômica, e 130.000 IOPS de escrita randômica. O SM1715 conta ainda com uma capacidade de 10 DWPDs (drive writes per day – escritas do disco por dia) durante 5 anos, ou seja, o drive pode ser completamente reescrito 10 vezes por dia durante 5 anos sem apresentar defeitos.
