A Intel anunciou que sua próxima geração de plataforma “Ivy Bridge” vai incorporar uma nova tecnologia que permite uma estrutura de transistor de 3-D, conhecido como “Tri-Gate”, aumentando significativamente o desempenho e a eficiência. Enquanto a Intel divulgou seu trabalho em transistores 3-D a quase uma década, a tecnologia finalmente atingiu o ponto onde ele pode ser implantado em produção de massa.
“Transistores 3-D da Intel em chips, Tri-Gate, permitem a operar em baixa tensão, com menor vazamento, proporcionando uma combinação sem precedentes de desempenho e eficiência energética em comparação com transistores anteriores. As capacidades de dar projetistas de chips a flexibilidade de escolher alvo de transistores de baixa potência ou de alta performance, dependendo da aplicação.
Os transistores de 22nm 3-D, Tri-Gate, fornecem até 37% de aumento de desempenho em baixa tensão versus transistores de planares de 32nm da Intel. Este ganho incrível significa que eles são ideais para utilização em pequenos aparelhos portáteis, que funcionam usando menos energia para “mudar” para trás e para frente. Alternativamente, os novos transistores consomem menos da metade da energia quando a mesma performance com transistores planares 2-D em chips de 32nm.”
[iurl=https://sincopedigital.blogspot.com/2011/05/intel-revela-plataforma-ivy-bridge-para.html]Assista aqui um vídeo animação muito interessante da plataforma.[/iurl]
Em um evento especial de mídia, a Intel demonstrou o primeiro processador de 22 nm, apelidado de Ivy Bridge, utilizando a tecnologia, com alto volume de produção da plataforma para o final do ano. A Intel também está se movendo agressivamente com a tecnologia Tri-Gate em sua plataforma Atom para dispositivos móveis para oferecer desempenho e melhorias significativas de eficiência.
