A Intel admite que a abordagem da IBM para interconexões ópticas para chips é muito interessante e progressivo, mas alega que o seu próprio caminho é mais eficiente em termos de desempenho e de fabricação.
IBM’s CMOS Integrated Silicon Nanophotonics combina dispositivos elétricos e ópticos em um único chip. A nova tecnologia da IBM pode ser produzido no front-end de uma linha padrão de fabriucação de CMOS e não requer ferramentas novas ou especiais. Com essa abordagem, os transistores de silício podem compartilhar a mesma camada de silício com dispositivos de silício nanofotônico. Segundo a IBM, a nova tecnologia acrescenta mais alguns módulos de processamento de fluxo padrão de fabricação CMOS, para permitir uma variedade de componentes de silício nanofotônico, tais como: moduladores, fotodetectores de germânio e multiplexadores ultra-compacto de divisão de comprimento de onda para serem integrados em circuitos CMOS de altodesempenho analógicos e digitais. Como resultado, um único chip transceptor de comunicação óptica pode ser fabricado em uma fundição CMOS padrão, em vez de montado a partir de várias peças feitas com tecnologia cara de semicondutores compostos.
Em contrapartida, a Intel propõe para fabricar chips usando as ultimas tecnologias contemporâneas de fundição e em seguida adicionar todos os elementos necessários para as interconexões ópticas.
“Essa pesquisa [IBM] é mais um exemplo alem de outros validadando que fotônicos de silício é o caminho para alta largura de banda e baixo custo de comunicações ópticas. Quando esta pesquisa é interessante, há ainda muitos desafios para comercializar esta abordagem como a integração de lasers e integração com processos avançados de transistores no futuro “, disse Nick Knupffer, gerente de comunicação global da Intel, em entrevista à ZDNet UK.
Segundo o representante da Intel, a abordagem da IBM, simplesmente faz da fabricação difícil. Por exemplo, os fabricantes de chips terão que desenvolver processos de fabricação de elementos ópticos relacionados em mente.
“Manter o CMOS e a fotônica separados permitirá o uso mais eficiente em termos energéticos, liderar o processo de fabricação para produtos eletrônicos com escala de velocidade de ligação. Para os sistemas exaescalares, a eficiência energética é uma preocupação importante. […] Embora a abordagem [da Intel à nanofotônica] exija a união de fosfeto de índio para o silício, isto é feito no nível do chip ou da placa, permitindo-nos criar todos os lasers que precisamos em uma etapa de ligação “, disse Knupffer.
