Os nanotubos de carbono já foram utilizados para a construção de transístores antes, em experimentos que abriram os primeiros caminhos para a eletrônica orgânica. Transistores de nanotubos já foram utilizados até mesmo para a construção de um nanorrádio.
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<p>100.000 vezes mais rápido</p>
<p>Um novo impulso agora foi dado rumo à adoção dos nanotubos de carbono como células de memória não-volátil – que não perdem os dados na ausência de energia. O avanço é tão grande que poderá representar um novo incentivo para a tentativa de viabilizar esses componentes nanotecnológicos.</p>
<p>O novo transístor é 100.000 vezes mais rápido dos que seus antecessores. Os transistores de nanotubos de carbono mais promissores demonstrados até agora gastam vários milissegundos para gravar um bit. Em comparação, uma memória Flash gasta mil vezes menos tempo, efetuando suas operações na faixa dos microssegundos.</p>
<p>Otimização e refinamento</p>
<p>O transístor que acaba de ser desenvolvido pela equipe da professora Päivi Törmä, da Universidade de Tecnologia de Helsinque, grava seus bits em meros 100 nanossegundos, um tempo comparável até mesmo às memórias usadas nos computadores atuais. E esse tempo pode ser ainda menor.</p>
<p>“Isto é incrível, considerando que ele não passou ainda por um processo de otimização ou refinamento. O que impõe o limite atual de 100 nanossegundos não é a memória de nanotubo, mas a configuração do nosso experimento, de forma que ele poderá trabalhar a velocidades ainda maiores, nós não sabemos ainda,” diz a pesquisadora.</p>
<p>E o experimento é outro fator encorajador, devido à sua grande simplicidade.</p>
<p>Escrevendo os bits</p>
<p>O transístor é feito a partir de um único nanotubo de carbono, nas extremidades do qual são ligados dois eletrodos. Um terceiro eletrodo, a base do transístor, fica separado do nanotubo por uma camada isolante. Ã este eletrodo que é usado para escrever o bit na célula de memória.</p>
<p>Este terceiro eletrodo recebe um pico de tensão, que força um fluxo de elétrons através da barreira isolante. Esse fluxo de corrente representa o 1 binário, podendo ser detectado porque ele faz variar a corrente que passa entre os outros dois eletrodos.</p>
<p>Para escrever um 0 basta enviar outro pulso de energia pela porta, para que o primeiro seja cancelado.</p>
<p>Ãxido de háfnio</p>
<p>A maioria dos transistores de nanotubos de carbono anteriores usava dióxido de silício como barreira isolante. Ã isso o que explica a lentidão desses transistores, uma vez que demora muito para induzir uma carga elétrica nesse material.</p>
<p>Os pesquisadores finlandeses substituíram o dióxido de silício por óxido de háfnio, um material que ganhou fama depois que a IBM anunciou seu uso para a construção daquela que era, na época, memória mais rápida do mundo, há cerca de dois anos.</p>
<p>O óxido de háfnio é muito mais sensível a alterações na corrente elétrica. Além disso, sua estrutura porosa ajuda-o a capturar uma carga elétrica muito mais rapidamente, o que explica a extrema velocidade da nova célula de memória.</p>
<p>Próximo desafio</p>
<p>Além de memórias para computador, essas novas células poderão ser um concorrente superior às atuais memórias Flash, que equipam os pen-drives e outros cartões de memória.</p>
<p>O próximo passo da pesquisa é juntar várias dessas células individuais para construir um verdadeiro chip de memória. O experimento até agora só demonstrou o funcionamento de transistores individuais.</p>
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