Área da célula FET SRAM não planar cortada em mais de 50% estabelece abordagem promissora para futuros nós tecnológicos —
2008 International Electron Devices Meeting
TÃQUIO & NOVA YORK & SUNNYVALE, Califórnia–(BUSINESS WIRE)–A Toshiba Corporation (TOKYO:6502), a IBM (NYSE:IBM) e a AMD (NYSE:AMD) anunciaram hoje o desenvolvimento conjunto de uma célula estática de memória de acesso randomizado (Static Random Access Memory, SRAM) que tem uma área de apenas 0,128 μm2, a menor célula SRAM funcional do mundo, e utiliza transistores de efeito de campo (fin shaped Field Effect Transistors, FinFETS) com formato de barbatana.
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