A Samsung Electronics anuncia ter conseguido produzir chips de memória DDR3 de 2 Gigabytes (2 GB), graças ao processo de fabricação de 50 nanômetros. Esses novos chips permitirão formar módulos de memória de 8 GB (com uma única fileira de chips) ou até de 16 GB (com duas fileiras de chips).
Os novos chips, segundo comunicado da empresa, consomem 40% menos do que a solução atual de dois chips e, alimentados com 1,5 V, suportam taxa de transferência máxima de 1,3 Gigabits por segundo (Gb/s).
“Trabalhamos agora para aprimorar a densidade e a capacidade desses chips economizarem energia. Assim, daremos aos designers uma solução flexível e com alto valor agregado”, diz Jim Elliott, vice-presidente da divisão de memória da Samsung Semicondutores.
Os chips DDR3 de 2 GB devem começar a ser produzidos em massa até o final deste ano.
