A
Samsung Electronics apresentou o primeiro módulo de memória com uma capacidade de
16 GB Double Data Rate-4 (DDR4) projetado para uso em
servidores corporativos.
Feita a partir de um processo de fabricação de
30 nm, o módulo
DDR4 de alta densidade da
Samsung consome aproximadamente
40% menos de energia em relação a um módulo de memória
DDR3-1600 MHz@1.35V.
A
Samsung seguirá trabalhando na conclusão
JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) e a padronização de tecnologias e especificações de produtos
DDR4, que deverão ter lugar em Agosto.
A empresa também disse que vai estreitar os laços com seus clientes, incluindo fabricantes
OEMs, assim como responsáveis ??por
CPUs e controladores para ampliar a base de mercado para seus módulos de alta densidade
DDR4, ao qual
planejam uma produção em massa no
próximo ano.
Espera-se também uma expansão do mercado de memória global, alcançando produtos de memórias
DRAM DDR4 @ 20 nm que estará disponível no próximo ano, em densidades de até
32 GB.
Com este anúncio a
Samsung continua a liderar o desenvolvimento da tecnologia
DRAM desde o desenvolvimento da primeira
DDR DRAM da indústria em
1997. Em
2001 introduziu a primeira memória
DRAM DDR2, e em
2005, anunciou as primeiras
DDR3 @ 80 nm.
Fonte referência:
Techpowerup